- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录328 > IDT7026L20G (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 256KBIT 20NS 84PGA
IDT7026S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (6,7)
7026X15
Com'l Only
7026X20
Com'l, Ind
& Military
7026X25
Com'l, Ind
& Military
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
BUSY TIMING (M/ S =V IH )
t BAA
t BDA
t BAC
t BDC
BUSY Access Time from Address Match
BUSY Disable Time from Address Not Matched
BUSY Acce ss Time from Chip Enable Low
BUSY Acce ss Time from Chip Enable High
____
____
____
____
15
15
15
15
____
____
____
____
20
20
20
17
____
____
____
____
20
20
20
17
ns
ns
ns
ns
Write Hold After BUSY
t APS
t BDD
t WH
Arbitration Priority Set-up Time
BUSY Disable to Valid Data
(5)
(2)
5
____
12
____
18
____
5
____
15
____
30
____
5
____
17
____
30
____
ns
ns
ns
BUSY TIMING (M/ S =V IL )
t WB
t WH
BUSY Input to Write (4)
Write Hold After BUSY (5)
0
12
____
____
0
15
____
____
0
17
____
____
ns
ns
PORT-TO-PORT DELAY TIMING
t WDD
Write Pulse to Data Delay (1)
____
30
____
45
____
50
ns
t DDD
Write Data Valid to Read Data Delay
(1)
____
25
____
30
____
35
ns
2939 tbl 14a
7026X35
Com'l, Ind
& Military
7026X55
Com'l, Ind
& Military
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
BUSY TIMING (M/ S =V IH )
t BAA
t BDA
t BAC
t BDC
BUSY Access Time from Address Match
BUSY Disable Time from Address Not Matched
BUSY Acce ss Time from Chip Enable Low
BUSY Acce ss Time from Chip Enable High
____
____
____
____
20
20
20
20
____
____
____
____
45
40
40
35
ns
ns
ns
ns
BUSY Disable to Valid Data
Write Hold After BUSY
t APS
t BDD
t WH
Arbitration Priority Set-up Time
(3)
(5)
(2)
5
____
25
____
35
____
5
____
25
____
40
____
ns
ns
ns
BUSY TIMING (M/ S =V IL )
Write Hold After BUSY
t WB
t WH
BUSY Input to Write (4)
(5)
0
25
____
____
0
25
____
____
ns
ns
PORT-TO-PORT DELAY TIMING
t WDD
Write Pulse to Data Delay (1)
____
60
____
80
ns
t DDD
Write Data Valid to Read Data Delay
(1)
____
45
____
65
ns
NOTES:
2939 tbl 14b
1. Port-to-port delay through RAM cells from writing port to reading port, refer to "Timing Waveform of Write with Port-to-Port Read and BUSY (M/S = V IH )".
2. To ensure that the earlier of the two ports wins.
3. t BDD is a calculated parameter and is the greater of 0, t WDD – t WP (actual), or t DDD – t DW (actual).
4. To ensure that the write cycle is inhibited on port "B" during contention on port "A".
5. To ensure that a write cycle is completed on port "B" after contention on port "A".
6. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
7. Industrial temperature: for other speeds, packages and powers contact your sales office.
12
6.42
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
IDT7027L25G
IC SRAM 512KBIT 25NS 108PGA
IDT7028L20PFI
IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP
IDT7034L20PFI
IC SRAM 72KBIT 20NS 100TQFP
IDT7035L20PFI
IC SRAM 144KBIT 20NS 100TQFP
IDT7037L20PFI
IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP
IDT7038L15PFG
IC SRAM 1024KBIT 15NS 120TQFP
IDT7052L20G
IC SRAM 16KBIT 20NS 108PGA
IDT7054L20G
IC SRAM 32KBIT 20NS 108PGA
相关代理商/技术参数
IDT7026L20J
功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT7026L20J8
功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT7026L20JI
功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT7026L20JI8
功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT7026L25G
功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 84PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT7026L25GB
制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 84PGA
IDT7026L25J
功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT7026L25J8
功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8